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本安电缆ia-DJYPVRP
2020-10-26 07:44:20   686
价格:4.00 人民币
品牌:鼎耀
型号:ia-DJYPVRP
特殊用途:防爆
芯数:4
拉伸强度:国标
订购数量: - +
商品参数 商品详情
详细参数
品牌鼎耀型号ia-DJYPVRP
特殊用途防爆芯数4
拉伸强度国标使用温度70,
电线最大外径48.5标称截面1.5
绝缘厚度0.6产品认证ISO9001
导体材质护套材质PVC
型式圆形软硬
加工定制产地其他
颜色其他

本安电缆ia-DJYPVRP

本安计算机用屏蔽电缆(或称本安DCS系统用电缆)适用于石油、化工、电力、煤气工程、矿山等存在危险的场合以及其它防爆安全要求较高的场合,传输自动控制信号。该电缆具有低电容、低电感集散型仪表信号电缆,简称本安DCS系统用电缆,具有优异的屏蔽性能和抗干扰性能,因此防爆安全性能明显高于一般DCS系统电缆和计算机控制电缆。

使用特性

1、交流额定电压U0/U300/500V
2
、电缆导体长期允许最高工作温度:聚氯乙烯绝缘为70℃;交联聚乙烯绝缘为90℃;无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘为70℃
3
、最低环境温度:固定敷设-40℃;非固定敷设-15℃;安装敷设时环境温度:不低于0℃
4
、电缆允许弯曲半径:非铠装、编织屏蔽电缆不小于电缆外径的6倍;铜带屏蔽、铠装电缆不小于电缆外径的12倍。

基本型号


型号

名称

IA-DJYPVP

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYPVPR

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYP3VP3

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYP3VP3R

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYP2VP2

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYP2VP2R

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJPVP

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJPVPR

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJP3VP3

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJP3VP3R

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJP2VP2

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJP2VP2R

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYPVP

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜线编织分屏总屏本安DCS电缆

WDZ-IA-DJYPVPR

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYP3VP3

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

WDZ-IA-DJYP3VP3R

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYP2VP2

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

WDZ-IA-DJYP2VP2R

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆


规格范围

对数:1-24
每对芯数:二芯(称二线组),三芯(称三线组)
导体截面:0.50.751.01.52.5

技术参数

1、20℃导体直流电阻及导体结构

标称截面(mm2

导体结构(根数/单丝直径mm

20℃直流电阻Ω/km

A

B

R

AB

R

0.5

1/0.8

7/0.3

16/0.2

≤36.0

≤39.0

0. 75

1/0.97

7/0.37

24/0.2

≤24.5

≤26.0

1.0

1/1.13

7/0.43

32/0.2

≤18.1

≤19.5

1.5

1/1.38

7/0.52

30/0.25

≤12.1

≤13.3

2.5

1/1.78

7/0.68

49/0.25

≤7.41

≤7.98

2、20℃绝缘电阻

性能项目

PVC绝缘

PEXLPE绝缘

20℃时绝缘电阻MΩ.KM

≥25

≥500

3、电缆应经受工频交流电压试验:2000V/1min绝缘不发生击穿,试验温度为环境温度。
4
、工作电容(1KHZ):线芯与线芯≤90PF/m
5
、分布电容(1KHZ≤0.6μH/m
6
、电磁干扰感应电压(干扰磁场400A/m≤5mV
7
、静电感应电压(静电电压20KV)<1V
8
、辐射场透入强度(干扰场强120dBμV,干扰场频率200MHZ≤dBμV



 


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